Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP100N055PUK-E1-AY
NP100N055PUK-E1-AY

NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np100n055pukmos-field-effect-transistor Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+94.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP100N055PUK-E1-AY за ціною від 87.47 грн до 251.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP100N055PUK-E1-AY NP100N055PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np100n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.89 грн
10+168.33 грн
100+120.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK-E1-AY NP100N055PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0589ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.55 грн
10+184.42 грн
25+158.83 грн
100+115.86 грн
500+115.10 грн
800+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK-E1-AY Виробник : Renesas np100n055pukmos-field-effect-transistor MP-25ZP/TO-263NCH, SINGLE, MP-25ZP/TO-263, 55V, ID(DC)100A, кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.