Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP100N055PUK-E1-AY
NP100N055PUK-E1-AY

NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np100n055pukmos-field-effect-transistor
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+87.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP100N055PUK-E1-AY за ціною від 83.56 грн до 240.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NP100N055PUK-E1-AY NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.77 грн
10+156.77 грн
100+112.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK-E1-AY NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds0589ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+240.28 грн
10+176.16 грн
25+151.72 грн
100+110.67 грн
500+109.94 грн
800+83.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK-E1-AY Renesas np100n055pukmos-field-effect-transistor MP-25ZP/TO-263NCH, SINGLE, MP-25ZP/TO-263, 55V, ID(DC)100A, кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK-E1-AY np100n055pukmos-field-effect-transistor
NP100N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.77 грн
10+156.77 грн
100+112.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK-E1-AY REN_r07ds0589ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf
NP100N055PUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.28 грн
10+176.16 грн
25+151.72 грн
100+110.67 грн
500+109.94 грн
800+83.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100N055PUK-E1-AY np100n055pukmos-field-effect-transistor
Виробник: Renesas
MP-25ZP/TO-263NCH, SINGLE, MP-25ZP/TO-263, 55V, ID(DC)100A, кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.