NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції NP100N055PUK-E1-AY за ціною від 80.17 грн до 230.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NP100N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 1709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NP100N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics |
MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NP100N055PUK-E1-AY | Renesas |
MP-25ZP/TO-263NCH, SINGLE, |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NP100N055PUK-E1-AY |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.90 грн |
| 10+ | 160.45 грн |
| 100+ | 115.29 грн |
| NP100N055PUK-E1-AY |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK
MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.55 грн |
| 10+ | 169.03 грн |
| 25+ | 145.57 грн |
| 100+ | 106.19 грн |
| 500+ | 105.49 грн |
| 800+ | 80.17 грн |
| NP100N055PUK-E1-AY |
|
Виробник: Renesas
MP-25ZP/TO-263NCH, SINGLE,MP-25ZP/TO-263, 55V, ID(DC)100A, кількість в упаковці: 1 шт
MP-25ZP/TO-263NCH, SINGLE,
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.