Продукція > RENESAS ELECTRONICS AMERICA INC > NP100P04PDG-E1-AY
NP100P04PDG-E1-AY

NP100P04PDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc

np100p04pdg-data-sheet
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 10 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+381.25 грн
10+308.56 грн
100+249.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP100P04PDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc

Description: RENESAS - NP100P04PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції NP100P04PDG-E1-AY за ціною від 131.56 грн до 382.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NP100P04PDG-E1-AY NP100P04PDG-E1-AY RENESAS np100p04pdg-data-sheet Description: RENESAS - NP100P04PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.52 грн
10+264.39 грн
100+205.72 грн
500+164.17 грн
1000+131.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P04PDG-E1-AY np100p04pdg-data-sheet
NP100P04PDG-E1-AY
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - NP100P04PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+382.52 грн
10+264.39 грн
100+205.72 грн
500+164.17 грн
1000+131.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.