Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP100P06PDG-E1-AY
NP100P06PDG-E1-AY

NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np100p06pdg-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+169.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 200W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.

Інші пропозиції NP100P06PDG-E1-AY за ціною від 163.25 грн до 437.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY RENESAS np100p06pdg-datasheet Description: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.96 грн
10+290.91 грн
100+210.55 грн
500+188.04 грн
1000+163.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np100p06pdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.82 грн
10+282.51 грн
100+203.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics r07ds1515ej0100_np100p06pdg-3075888.pdf MOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 12859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY np100p06pdg-datasheet
NP100P06PDG-E1-AY
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+392.96 грн
10+290.91 грн
100+210.55 грн
500+188.04 грн
1000+163.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY np100p06pdg-datasheet
NP100P06PDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+437.82 грн
10+282.51 грн
100+203.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY r07ds1515ej0100_np100p06pdg-3075888.pdf
NP100P06PDG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 12859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.