NP100P06PDG-E1-AY

NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation


np100p06pdg-datasheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+178.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції NP100P06PDG-E1-AY за ціною від 176.34 грн до 443.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics r07ds1515ej0100_np100p06pdg-3075888.pdf MOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 12859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.91 грн
10+361.34 грн
100+257.61 грн
500+219.15 грн
800+178.51 грн
2400+176.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np100p06pdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.45 грн
10+274.47 грн
100+217.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Виробник : RENESAS 4015005.pdf Description: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+443.65 грн
10+336.20 грн
100+271.89 грн
500+187.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY Виробник : Renesas np100p06pdg-datasheet TO263/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.