NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 178.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції NP100P06PDG-E1-AY за ціною від 195.71 грн до 492.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NP100P06PDG-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET |
на замовлення 12859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NP100P06PDG-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NP100P06PDG-E1-AY | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - NP100P06PDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 100 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NP100P06PDG-E1-AY | Виробник : Renesas |
TO263/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |