Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP100P06PDG-E1-AY
NP100P06PDG-E1-AY

NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np100p06pdg-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+169.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP100P06PDG-E1-AY за ціною від 168.98 грн до 438.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics r07ds1515ej0100_np100p06pdg-3075888.pdf MOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 12859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.86 грн
10+346.28 грн
100+246.87 грн
500+210.01 грн
800+171.07 грн
2400+168.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np100p06pdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.11 грн
10+282.96 грн
100+204.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY Виробник : NEC NP100P06PDG.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY Виробник : NEC Electronics America np100p06pdg-datasheet Транзистор P-channel MOS Field Effect Transistor ПТ (Vds=-60V, Id=300mA@t=25C, 1.8A@t=70C, Rds... Група товару: Транзистори Корпус: TO-263 (MP-25ZP) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP100P06PDG-E1-AY Виробник : Renesas np100p06pdg-datasheet TO263/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.