NP109N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 134.76 грн |
| 1600+ | 121.73 грн |
| 2400+ | 119.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NP109N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NP109N04PUK-E1-AY за ціною від 135.26 грн до 359.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NP109N04PUK-E1-AY | Renesas |
Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NP109N04PUK-E1-AY | Renesas |
Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NP109N04PUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NP109N04PUK-E1-AY |
|
Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 313.44 грн |
| 10+ | 268.23 грн |
| 25+ | 262.91 грн |
| 100+ | 201.20 грн |
| 500+ | 142.20 грн |
| 1000+ | 135.26 грн |
| NP109N04PUK-E1-AY |
|
Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 313.44 грн |
| 53+ | 268.23 грн |
| 54+ | 262.91 грн |
| 100+ | 201.20 грн |
| 500+ | 142.20 грн |
| 1000+ | 135.26 грн |
| NP109N04PUK-E1-AY |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 359.56 грн |
| 10+ | 230.35 грн |
| 100+ | 164.26 грн |