Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP110N04PUK-E1-AY
NP110N04PUK-E1-AY

NP110N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np110n04pukmos-field-effect-transistor Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+370.48 грн
10+ 299.59 грн
100+ 242.36 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP110N04PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NP110N04PUK-E1-AY за ціною від 167.57 грн до 402.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NP110N04PUK-E1-AY NP110N04PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0570ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930607.pdf MOSFET POWER MOSFET
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.68 грн
10+ 333.21 грн
25+ 280.4 грн
100+ 235 грн
250+ 226.99 грн
500+ 208.3 грн
800+ 167.57 грн
NP110N04PUK-E1-AY NP110N04PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np110n04pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
товар відсутній