Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP110N055PUK-E1-AY
NP110N055PUK-E1-AY

NP110N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np110n055pukmos-field-effect-transistor Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.15 грн
10+257.84 грн
100+184.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP110N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP110N055PUK-E1-AY за ціною від 147.31 грн до 391.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP110N055PUK-E1-AY NP110N055PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0591ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930615.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.98 грн
10+289.58 грн
25+248.90 грн
100+179.96 грн
800+147.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP110N055PUK-E1-AY NP110N055PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np110n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.