NP16N06QLK-E1-AY

NP16N06QLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation


np16n06qlk60-v-16-dual-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A 8HSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1W (Ta), 25W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP16N06QLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A 8HSON, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 8A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 1W (Ta), 25W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerLDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції NP16N06QLK-E1-AY за ціною від 64.98 грн до 196.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP16N06QLK-E1-AY NP16N06QLK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np16n06qlk60-v-16-dual-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive Description: MOSFET 2N-CH 60V 16A 8HSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1W (Ta), 25W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.74 грн
10+122.20 грн
100+84.20 грн
500+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP16N06QLK-E1-AY NP16N06QLK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1290ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930804.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE MOS 8P HSON(DUAL) ANL2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.