NP23N06YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 41.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NP23N06YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HSON, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NP23N06YDG-E1-AY за ціною від 39.48 грн до 118.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NP23N06YDG-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFETs AUTOMOTIVE MOS 8P HSON(SINGLE) UMOS4 |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|