Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP29N06QDK-E1-AY
NP29N06QDK-E1-AY

NP29N06QDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np29n06qdk60-v-30-dual-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499456 Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP29N06QDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4), Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP29N06QDK-E1-AY за ціною від 62.46 грн до 234.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP29N06QDK-E1-AY NP29N06QDK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1330ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf MOSFETs POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-CH
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.50 грн
10+136.77 грн
100+92.08 грн
250+88.24 грн
500+73.89 грн
1000+65.30 грн
2500+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP29N06QDK-E1-AY NP29N06QDK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np29n06qdk60-v-30-dual-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499456 Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.06 грн
10+146.03 грн
100+100.87 грн
500+76.53 грн
1000+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.