
NP29N06QDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 68.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NP29N06QDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4), Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NP29N06QDK-E1-AY за ціною від 67.61 грн до 224.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NP29N06QDK-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics |
![]() |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NP29N06QDK-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|