
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 175.09 грн |
10+ | 142.98 грн |
100+ | 99.32 грн |
250+ | 94.90 грн |
500+ | 83.13 грн |
1000+ | 71.29 грн |
2500+ | 65.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NP29N06QUK-E1-AY Renesas Electronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NP29N06QUK-E1-AY за ціною від 67.79 грн до 224.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NP29N06QUK-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NP29N06QUK-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W (Ta), 44W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |