NP32N055HLE-AZ

NP32N055HLE-AZ NEC Corporation


NECCS03262-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NEC Corporation
Description: 32A, 55V, 0.033OHM, N-CHANNEL ,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (MP-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP32N055HLE-AZ NEC Corporation

Description: 32A, 55V, 0.033OHM, N-CHANNEL ,, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-251 (MP-3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 66W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції NP32N055HLE-AZ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP32N055HLE-AZ NP32N055HLE-AZ Виробник : Renesas Electronics NECCS03262-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.