NP32N055SDE-E1-AZ Renesas
Виробник: RenesasDescription: NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 281+ | 71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NP32N055SDE-E1-AZ Renesas
Description: NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NP32N055SDE-E1-AZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NP32N055SDE-E1-AZ | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) |
товар відсутній |
||
| NP32N055SDE-E1-AZ | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFET |
товар відсутній |