NP35N04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 55.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NP35N04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Description: ABU / MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 77W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NP35N04YLG-E1-AY за ціною від 49.30 грн до 194.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NP35N04YLG-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics |
MOSFETs Nch Power MOSFET 40V 35A 9.7mohm SON-8 5x6 |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NP35N04YLG-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: ABU / MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|