Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP35N055YUK-E1-AY
NP35N055YUK-E1-AY

NP35N055YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP35N055YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP35N055YUK-E1-AY за ціною від 148.02 грн до 148.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP35N055YUK-E1-AY NP35N055YUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np35n055yuk55-v-35-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive Description: MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP35N055YUK-E1-AY NP35N055YUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1002ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930623.pdf MOSFETs POWER AUTO MOS 55V, 6.7mohm, HSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.