Продукція > RENESAS ELECTRONICS > NP36P04KDG-E1-AY

NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics

Name: NP36P04KDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics
SKU: 4698461-4
Price: 364.04 UAH
Availability: InStock

Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs AUTOMOTIVE MOS MP-25LZA/LZK UMOS4

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	182.02 грн
10+	149.38 грн
100+	103.77 грн
250+	95.06 грн
500+	86.35 грн
800+	74.02 грн
2400+	70.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics

Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP36P04KDG-E1-AY

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NP36P04KDG-E1-AY	Виробник : Renesas	TO263AB/36 A, 40 V, 0.0235 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET NP36P04 кількість в упаковці: 800 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NP36P04KDG-E1-AY	Виробник : Renesas Electronics Corporation	Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NP36P04KDG-E1-AY	Виробник : Renesas Electronics Corporation	Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.