Продукція > RENESAS > NP36P06SLG-E1-AY
NP36P06SLG-E1-AY

NP36P06SLG-E1-AY RENESAS

3685617.pdf Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - NP36P06SLG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.92 грн
500+69.12 грн
1000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP36P06SLG-E1-AY RENESAS

Description: RENESAS - NP36P06SLG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 56W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції NP36P06SLG-E1-AY за ціною від 47.71 грн до 192.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP36P06SLG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY Виробник : RENESAS 3685617.pdf Description: RENESAS - NP36P06SLG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 36 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.74 грн
10+114.32 грн
100+88.92 грн
500+69.12 грн
1000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics r07ds1510ej0100_np36p06slg-3075919.pdf MOSFETs Pch Power MOSFET -60V -36A 30mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.00 грн
10+117.20 грн
100+71.41 грн
500+57.98 грн
1000+54.35 грн
2500+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY
Код товару: 211828
Додати до обраних Обраний товар

D18008EJ5V0DS00.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY Виробник : Renesas D18008EJ5V0DS00.pdf TO252/SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation D18008EJ5V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP36P06SLG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation D18008EJ5V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.