Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP50P03YDG-E1-AY
NP50P03YDG-E1-AY

NP50P03YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np50p03ydg-data-sheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.79 грн
10+146.55 грн
100+101.43 грн
500+77.10 грн
1000+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP50P03YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 102W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HSON, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP50P03YDG-E1-AY за ціною від 68.99 грн до 213.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP50P03YDG-E1-AY NP50P03YDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0019ej0200_pomosfet_DST_20110316-1999050.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE MOS 8P HSON(SINGLE) UMOS4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.20 грн
10+156.14 грн
100+97.61 грн
500+78.53 грн
1000+73.24 грн
2500+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P03YDG-E1-AY NP50P03YDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np50p03ydg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.