Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP50P04KDG-E1-AY
NP50P04KDG-E1-AY

NP50P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

D18688EJ3V0DS00.pdf Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+93.48 грн
1600+86.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP50P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP50P04KDG-E1-AY за ціною від 96.51 грн до 231.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP50P04KDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics r07ds1525ej0100_np50p04kdg-3075750.pdf MOSFETs LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.42 грн
10+180.25 грн
25+148.04 грн
100+126.99 грн
250+119.73 грн
500+112.48 грн
800+96.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AY NP50P04KDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation D18688EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.57 грн
10+168.64 грн
100+118.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.