Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP50P04SDG-E1-AY
NP50P04SDG-E1-AY

NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

D19072EJ2V0DS00.pdf
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP50P04SDG-E1-AY за ціною від 66.12 грн до 213.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics r07ds1520ej0100_np50p04slg-3075768.pdf MOSFETs Automotive MOS
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.51 грн
10+141.02 грн
100+97.54 грн
250+93.36 грн
500+82.21 грн
1000+69.67 грн
2500+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY NP50P04SDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation D19072EJ2V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.20 грн
10+84.99 грн
100+78.04 грн
500+72.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY Виробник : Renesas D19072EJ2V0DS00.pdf MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AY Виробник : Renesas D19072EJ2V0DS00.pdf TO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.