Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP50P06SDG-E1-AY
NP50P06SDG-E1-AY

NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np50p06sdg-data-sheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP50P06SDG-E1-AY за ціною від 67.20 грн до 206.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP50P06SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY Виробник : Renesas 1795009872059010d19073ej2v0ds00.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+136.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np50p06sdg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.04 грн
10+131.45 грн
100+90.93 грн
500+74.06 грн
1000+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics r07ds1511ej0101_np50p06sdg-3075769.pdf MOSFETs POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-3ZK UMOS4 O
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.57 грн
10+151.88 грн
100+95.06 грн
500+86.35 грн
1000+73.29 грн
2500+68.94 грн
5000+67.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AY Виробник : Renesas np50p06sdg-data-sheet TO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.