Технічний опис NP70N10KUF-E1-AY Renesas
Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NP70N10KUF-E1-AY
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NP70N10KUF-E1-AY | Виробник : Renesas |
![]() кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NP70N10KUF-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NP70N10KUF-E1-AY | Виробник : Renesas Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |