NP88N055KHE-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 82+ | 270.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NP88N055KHE-E1-AY Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NP88N055KHE-E1-AY
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NP88N055KHE-E1-AY | Виробник : Renesas |
Trans MOSFET N-CH 55V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |