Продукція > RENESAS ELECTRONICS AMERICA INC > NP89N055PUK-E1-AY
NP89N055PUK-E1-AY

NP89N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc

np89n055pukmos-field-effect-transistor Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+114.99 грн
1600+91.75 грн
2400+85.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP89N055PUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NP89N055PUK-E1-AY за ціною від 134.78 грн до 193.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NP89N055PUK-E1-AY NP89N055PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics America Inc np89n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.71 грн
10+167.65 грн
100+134.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP89N055PUK-E1-AY NP89N055PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0569ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930633.pdf MOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.