Продукція > MACOM > NPTB00004B

NPTB00004B MACOM


NPTB00004B.pdf
Виробник: MACOM
RF JFET Transistors Transistor,28V 5W DC-6GHz HEMT
на замовлення 372 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1685.09 грн
10+1358.72 грн
95+1043.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NPTB00004B MACOM

Description: RF MOSFET HEMT 28V 8SOIC, Current - Test: 50 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 100 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Technology: GaN HEMT, Gain: 14.8dB, Power - Output: 5W, Configuration: N-Channel, Frequency: 0Hz ~ 6GHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 1.4A, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Packaging: Tube.

Інші пропозиції NPTB00004B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NPTB00004B Виробник : MACOM Technology Solutions Description: RF MOSFET HEMT 28V 8SOIC
Current - Test: 50 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 100 V
Supplier Device Package: 8-SOIC-EP
Technology: GaN HEMT
Gain: 14.8dB
Power - Output: 5W
Configuration: N-Channel
Frequency: 0Hz ~ 6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1.4A
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.