на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 1476.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NPTB00004B MACOM
Description: RF MOSFET HEMT 28V 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Current Rating (Amps): 1.4A, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 0Hz ~ 6GHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 5W, Gain: 14.8dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 50 mA.
Інші пропозиції NPTB00004B за ціною від 886.50 грн до 1632.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NPTB00004B | Виробник : MACOM |
 RF JFET Transistors Transistor,28V 5W DC-6GHz HEMT |
на замовлення 2038 шт: термін постачання 217-226 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NPTB00004B | Виробник : MACOM Technology Solutions |
Description: RF MOSFET HEMT 28V 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Current Rating (Amps): 1.4A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 0Hz ~ 6GHz Configuration: N-Channel Power - Output: 5W Gain: 14.8dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: 8-SOIC-EP Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA |
товару немає в наявності |