Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NPTB00004B MACOM
Description: RF MOSFET HEMT 28V 8SOIC, Current - Test: 50 mA, Voltage - Test: 28 V, Voltage - Rated: 100 V, Supplier Device Package: 8-SOIC-EP, Technology: GaN HEMT, Gain: 14.8dB, Power - Output: 5W, Configuration: N-Channel, Frequency: 0Hz ~ 6GHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 1.4A, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad, Packaging: Tube.
Інші пропозиції NPTB00004B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NPTB00004B | MACOM |
RF JFET Transistors Transistor,28V 5W DC-6GHz HEMT |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NPTB00004B |
![]() |
Виробник: MACOM
RF JFET Transistors Transistor,28V 5W DC-6GHz HEMT
RF JFET Transistors Transistor,28V 5W DC-6GHz HEMT
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


