
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 54.24 грн |
10+ | 45.26 грн |
100+ | 26.78 грн |
500+ | 20.89 грн |
1000+ | 20.30 грн |
1500+ | 14.35 грн |
9000+ | 13.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NRTS6100TFSTAG onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 6A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V.
Інші пропозиції NRTS6100TFSTAG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NRTS6100TFSTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
NRTS6100TFSTAG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
NRTS6100TFSTAG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD; 100V; 6A; reel,tape Case: WDFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 0.62V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 150A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NRTS6100TFSTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 782pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
NRTS6100TFSTAG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; WDFN8; SMD; 100V; 6A; reel,tape Case: WDFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 0.62V Load current: 6A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 150A |
товару немає в наявності |