NRVBM130LT3G ON Semiconductor
на замовлення 11412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NRVBM130LT3G ON Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERMITE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Powermite, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 10 V.
Інші пропозиції NRVBM130LT3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NRVBM130LT3G | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERMITEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-216AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Powermite Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 10 V |
товару немає в наявності |