Технічний опис NRVHP8H200MFDT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NRVHP8H200MFDT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NRVHP8H200MFDT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NRVHP8H200MFDT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


