NRVHP8H200MFDT1G ON Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NRVHP8H200MFDT1G ON Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NRVHP8H200MFDT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NRVHP8H200MFDT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NRVHP8H200MFDT1G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |