Продукція > ONSEMI > NRVHPM120T3G
NRVHPM120T3G

NRVHPM120T3G onsemi


NHPM120-D.PDF Виробник: onsemi
Rectifiers PUF 1A 200V IN POWER
на замовлення 8695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.75 грн
27+13.20 грн
12000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NRVHPM120T3G onsemi

Description: DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-216AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: Powermite, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NRVHPM120T3G за ціною від 12.44 грн до 37.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NRVHPM120T3G NRVHPM120T3G Виробник : onsemi nhpm120-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Powermite
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.83 грн
12+26.53 грн
100+21.75 грн
500+13.94 грн
1000+12.89 грн
2000+12.78 грн
5000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHPM120T3G NRVHPM120T3G Виробник : ON Semiconductor nhpm120-d.pdf Diode Switching 200V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin(1+Tab) Power Mite T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHPM120T3G NRVHPM120T3G Виробник : onsemi nhpm120-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-216AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Powermite
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHPM120T3G Виробник : ONSEMI nhpm120-d.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; POWERMITE; Ufmax: 1.1V
Application: automotive industry
Case: POWERMITE
Mounting: SMD
Type of diode: rectifying
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 50ns
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 2A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.