NS8DT-E3/45

NS8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


ns8xt.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NS8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

Інші пропозиції NS8DT-E3/45

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NS8DT-E3/45 Виробник : Vishay Semiconductors ns8xt-240346.pdf Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.