Продукція > ONSEMI > NSB1706DMW5T1G
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G onsemi

nsb1706dmw5t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 187mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.08 грн
6000+3.53 грн
9000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSB1706DMW5T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-353, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NSB1706DMW5T1G за ціною від 3.10 грн до 21.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSB1706DMW5T1G NSB1706DMW5T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.99 грн
101+8.17 грн
500+5.54 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1G NSB1706DMW5T1G onsemi nsb1706dmw5t1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 187mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
на замовлення 15632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
27+11.68 грн
100+7.27 грн
500+5.02 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1G NSB1706DMW5T1G onsemi NSB1706DMW5T1_D-1813722.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.98 грн
27+12.08 грн
100+6.63 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
3000+3.52 грн
6000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1G NSB1706DMW5T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.22 грн
64+12.99 грн
101+8.17 грн
500+5.54 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1G ON nsb1706dmw5t1-d.pdf 06+
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1G ONSM-S-A0013300339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSB1706DMW5T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.99 грн
101+8.17 грн
500+5.54 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1G nsb1706dmw5t1-d.pdf
NSB1706DMW5T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC-88A
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 187mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
на замовлення 15632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.82 грн
27+11.68 грн
100+7.27 грн
500+5.02 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1G NSB1706DMW5T1_D-1813722.pdf
NSB1706DMW5T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 11220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+19.98 грн
27+12.08 грн
100+6.63 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
3000+3.52 грн
6000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1G ONSM-S-A0013300339-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSB1706DMW5T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSB1706DMW5T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-353
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
39+21.22 грн
64+12.99 грн
101+8.17 грн
500+5.54 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSB1706DMW5T1G nsb1706dmw5t1-d.pdf
Виробник: ON
06+
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.