Технічний опис NSB8AT-E3/81 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NSB8AT-E3/81 за ціною від 31.33 грн до 31.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSB8AT-E3/81 | Vishay |
 Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NSB8AT-E3/81 |
|
Виробник: Vishay
Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 31.68 грн |
| 1600+ | 31.36 грн |
| 2400+ | 31.33 грн |