
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 25.48 грн |
1600+ | 25.23 грн |
2400+ | 25.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSB8AT-E3/81 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції NSB8AT-E3/81 за ціною від 27.14 грн до 27.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSB8AT-E3/81 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NSB8AT-E3/81 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
NSB8AT-E3/81 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
NSB8AT-E3/81 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
NSB8AT-E3/81 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
NSB8AT-E3/81 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |