Продукція > VISHAY > NSB8AT-E3/81
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81 Vishay


ns8xt.pdf Виробник: Vishay
Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+25.48 грн
1600+25.23 грн
2400+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSB8AT-E3/81 Vishay

Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.

Інші пропозиції NSB8AT-E3/81 за ціною від 27.14 грн до 27.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSB8AT-E3/81 NSB8AT-E3/81 Виробник : Vishay ns8xt.pdf Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+27.44 грн
1600+27.17 грн
2400+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81 NSB8AT-E3/81 Виробник : Vishay ns8xt.pdf Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81 NSB8AT-E3/81 Виробник : Vishay ns8xt.pdf Diode 50V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81 NSB8AT-E3/81 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81 NSB8AT-E3/81 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8AT-E3/81 NSB8AT-E3/81 Виробник : Vishay General Semiconductor ns8xt.pdf Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.