Технічний опис NSB8DT-E3/45 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.
Інші пропозиції NSB8DT-E3/45
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSB8DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
 Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
NSB8DT-E3/45 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode 200V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
NSB8DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|
 |
NSB8DT-E3/45 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 200 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM |
товару немає в наявності |