NSB8JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.66 грн |
| 10+ | 58.63 грн |
| 100+ | 45.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSB8JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції NSB8JT-E3/81
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSB8JT-E3/81 | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers RECOMMENDED ALT NSB8 |
на замовлення 1343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSB8JT-E3/81 |
|
на замовлення 49600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSB8JT-E3/81 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers RECOMMENDED ALT NSB8
Rectifiers RECOMMENDED ALT NSB8
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)