NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81 Vishay General Semiconductor


ns8xt.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
на замовлення 1037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.69 грн
10+ 55.66 грн
100+ 40.26 грн
500+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSB8MT-E3/81 Vishay General Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції NSB8MT-E3/81 за ціною від 50.51 грн до 75.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSB8MT-E3/81 NSB8MT-E3/81 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.11 грн
10+ 64.81 грн
100+ 50.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
NSB8MT-E3/81 NSB8MT-E3/81 Виробник : Vishay ns8xt.pdf Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8MT-E3/81 NSB8MT-E3/81 Виробник : Vishay ns8xt.pdf Rectifier Diode 1KV 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
NSB8MT-E3/81 NSB8MT-E3/81 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній