NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.67 грн |
| 10+ | 85.73 грн |
| 100+ | 57.76 грн |
| 500+ | 48.91 грн |
| 1000+ | 39.78 грн |
| 2000+ | 37.48 грн |
| 5000+ | 35.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Інші пропозиції NSB8MTHE3_B/P за ціною від 49.09 грн до 115.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSB8MTHE3_B/P | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263ABCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|