NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 114.45 грн |
| 10+ | 92.85 грн |
| 100+ | 62.56 грн |
| 500+ | 52.97 грн |
| 1000+ | 43.09 грн |
| 2000+ | 40.60 грн |
| 5000+ | 38.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції NSB8MTHE3_B/P за ціною від 51.12 грн до 119.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSB8MTHE3_B/P | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263ABPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NSB8MTHE3_B/P | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode 1KV 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товару немає в наявності |