NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.91 грн |
| 10+ | 97.98 грн |
| 100+ | 76.41 грн |
| 500+ | 59.24 грн |
| 1000+ | 48.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Інші пропозиції NSB8MTHE3_B/P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSB8MTHE3_B/P | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 3928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSB8MTHE3_B/P |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)