Продукція > ONSEMI > NSBA114EDXV6T1G
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G onsemi

dta114ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.54 грн
8000+5.10 грн
12000+4.41 грн
28000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBA114EDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSBA114EDXV6T1G за ціною від 3.96 грн до 32.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBA114EDXV6T1G NSBA114EDXV6T1G Виробник : onsemi dta114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
15+20.72 грн
100+10.48 грн
500+8.03 грн
1000+5.96 грн
2000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1G NSBA114EDXV6T1G Виробник : onsemi DTA114ED_D-2310691.pdf Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.62 грн
14+24.48 грн
100+12.11 грн
1000+6.09 грн
4000+5.36 грн
8000+4.26 грн
24000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003157569-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 107250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1G dta114ed-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1G NSBA114EDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1G NSBA114EDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EDXV6T1G NSBA114EDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dta114ed-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.