Продукція > ONSEMI > NSBA114EMXWTBG
NSBA114EMXWTBG

NSBA114EMXWTBG onsemi

NSBAMXW-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+6.05 грн
6000+5.65 грн
9000+5.55 грн
15000+5.12 грн
21000+5.06 грн
30000+5.01 грн
75000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBA114EMXWTBG onsemi

Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 450 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції NSBA114EMXWTBG за ціною від 5.72 грн до 35.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSBA114EMXWTBG NSBA114EMXWTBG onsemi NSBAMXW-D.PDF Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.07 грн
31+9.93 грн
35+8.74 грн
100+7.02 грн
250+6.45 грн
500+6.10 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBG NSBA114EMXWTBG onsemi NSBAMXW-D.PDF Digital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
16+21.16 грн
100+11.98 грн
500+8.88 грн
1000+8.04 грн
3000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBG NSBAMXW-D.PDF
NSBA114EMXWTBG
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+15.07 грн
31+9.93 грн
35+8.74 грн
100+7.02 грн
250+6.45 грн
500+6.10 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114EMXWTBG NSBAMXW-D.PDF
NSBA114EMXWTBG
Виробник: onsemi
Digital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+35.36 грн
16+21.16 грн
100+11.98 грн
500+8.88 грн
1000+8.04 грн
3000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.