Продукція > ONSEMI > NSBA114YDXV6T1G
NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G onsemi

dta114yd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+9.11 грн
8000+8.29 грн
12000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBA114YDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSBA114YDXV6T1G за ціною від 4.09 грн до 40.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSBA114YDXV6T1G NSBA114YDXV6T1G onsemi DTA114YD_D-2310943.pdf Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
10+34.54 грн
14+23.77 грн
100+8.56 грн
1000+5.38 грн
4000+5.30 грн
8000+4.39 грн
24000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1G NSBA114YDXV6T1G onsemi dta114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.73 грн
11+29.76 грн
100+18.53 грн
500+11.89 грн
1000+9.15 грн
2000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1G ONSEMI RE_DSHEET_NSBA114YDXV6T1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1G DTA114YD_D-2310943.pdf
NSBA114YDXV6T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.54 грн
14+23.77 грн
100+8.56 грн
1000+5.38 грн
4000+5.30 грн
8000+4.39 грн
24000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1G dta114yd-d.pdf
NSBA114YDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.73 грн
11+29.76 грн
100+18.53 грн
500+11.89 грн
1000+9.15 грн
2000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1G RE_DSHEET_NSBA114YDXV6T1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.