Продукція > ONSEMI > NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G onsemi


dta114yd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+9.05 грн
8000+8.23 грн
12000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBA114YDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-563, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 500mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NSBA114YDXV6T1G за ціною від 3.81 грн до 40.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBA114YDXV6T1G NSBA114YDXV6T1G onsemi DTA114YD_D-2310943.pdf Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.15 грн
15+22.13 грн
100+7.96 грн
1000+5.00 грн
4000+4.93 грн
8000+4.09 грн
24000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1G NSBA114YDXV6T1G onsemi dta114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.44 грн
11+29.55 грн
100+18.39 грн
500+11.81 грн
1000+9.08 грн
2000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1G ON Semiconductor dta114yd-d.pdf
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1G DTA114YD_D-2310943.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+32.15 грн
15+22.13 грн
100+7.96 грн
1000+5.00 грн
4000+4.93 грн
8000+4.09 грн
24000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1G dta114yd-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.44 грн
11+29.55 грн
100+18.39 грн
500+11.81 грн
1000+9.08 грн
2000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBA114YDXV6T1G dta114yd-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.