
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6086+ | 4.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBA123TDP6T5G onsemi
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 269mW; SOT963; 2.2kΩ, Type of transistor: PNP x2, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 269mW, Case: SOT963, Current gain: 160...350, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Base resistor: 2.2kΩ, Quantity in set/package: 8000pcs., Kind of transistor: BRT.
Інші пропозиції NSBA123TDP6T5G за ціною від 4.29 грн до 4.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSBA123TDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 133500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
NSBA123TDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
NSBA123TDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
NSBA123TDP6T5G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
NSBA123TDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 269mW; SOT963; 2.2kΩ Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 269mW Case: SOT963 Current gain: 160...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Quantity in set/package: 8000pcs. Kind of transistor: BRT |
товару немає в наявності |