| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6086+ | 3.85 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
6086 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBA123TDP6T5G onsemi
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 269mW; SOT963; 2.2kΩ, Mounting: SMD, Base resistor: 2.2kΩ, Power dissipation: 269mW, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Type of transistor: PNP x2, Current gain: 160...350, Kind of package: reel; tape, Case: SOT963, Collector current: 0.1A, Manufacturer standard package: 8000pcs., Collector-emitter voltage: 50V.
Інші пропозиції NSBA123TDP6T5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NSBA123TDP6T5G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NSBA123TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 133500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NSBA123TDP6T5G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA123TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSBA123TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)