Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBA124EDXV6T1G onsemi
Category: PNP SMD transistors, Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 500mW; SOT563; R1: 22kΩ, Type of transistor: PNP x2, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.5W, Case: SOT563, Current gain: 60...100, Mounting: SMD, Quantity in set/package: 4000pcs., Kind of package: reel; tape, Base resistor: 22kΩ, Base-emitter resistor: 22kΩ.
Інші пропозиції NSBA124EDXV6T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NSBA124EDXV6T1G | ON Semiconductor |
 |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| NSBA124EDXV6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NSBA124EDXV6T1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| NSBA124EDXV6T1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSBA124EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)