NSBA124EMXWTBG onsemi
Виробник: onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT)
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 14.62 грн |
| 31+ | 9.64 грн |
| 35+ | 8.48 грн |
| 100+ | 6.81 грн |
| 250+ | 6.26 грн |
| 500+ | 5.92 грн |
| 1000+ | 5.56 грн |
| 2500+ | 5.27 грн |
| 5000+ | 5.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBA124EMXWTBG onsemi
Description: BIAS RESISTOR TRANSISTORS (BRT), Packaging: Bulk, Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 450 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції NSBA124EMXWTBG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSBA124EMXWTBG | onsemi |
Digital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSBA124EMXWTBG |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
Digital Transistors PBRT, 50V, XDFNW3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)