Продукція > ONSEMI > NSBA143ZDP6T5G
NSBA143ZDP6T5G

NSBA143ZDP6T5G onsemi


dta143zd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 160000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5900+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 5900
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBA143ZDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 408mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

Інші пропозиції NSBA143ZDP6T5G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSBA143ZDP6T5G Виробник : ON Semiconductor DTA143ZD-D-1387743.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PBRT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSBA143ZDP6T5G NSBA143ZDP6T5G Виробник : ON Semiconductor dta143zd-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW Automotive 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBA143ZDP6T5G NSBA143ZDP6T5G Виробник : onsemi dta143zd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній