Продукція > ONSEMI > NSBA144EDXV6T5G
NSBA144EDXV6T5G

NSBA144EDXV6T5G onsemi


NSBA114EDXV6-D.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3602+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 3602
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBA144EDXV6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 357mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhm, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSBA144EDXV6T5G за ціною від 10.1 грн до 36.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSBA144EDXV6T5G NSBA144EDXV6T5G Виробник : onsemi DTA144ED_D-1773529.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
на замовлення 6964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.42 грн
12+ 27.19 грн
100+ 14.75 грн
500+ 10.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSBA144EDXV6T5G NSBA144EDXV6T5G Виробник : onsemi NSBA114EDXV6-D.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP DL 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній