
NSBA144WDP6T5G onsemi

Description: DUAL PNP BIPOLAR DIGITAL TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5900+ | 3.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBA144WDP6T5G onsemi
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 408mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.
Інші пропозиції NSBA144WDP6T5G за ціною від 4.12 грн до 4.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSBA144WDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
NSBA144WDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
NSBA144WDP6T5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-963 |
товару немає в наявності |
|||||
NSBA144WDP6T5G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |