на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 29.54 грн |
1000+ | 9.32 грн |
4000+ | 5.43 грн |
8000+ | 3.74 грн |
24000+ | 3.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBA144WDXV6T1G onsemi
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NSBA144WDXV6T1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSBA144WDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NSBA144WDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NSBA144WDXV6T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NSBA144WDXV6T1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
товару немає в наявності |