NSBC113EDXV6T1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6662+ | 3.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC113EDXV6T1 onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 1kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NSBC113EDXV6T1 за ціною від 3.94 грн до 3.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSBC113EDXV6T1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBC113EDXV6T1 - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| NSBC113EDXV6T1 |
|
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
|
|
NSBC113EDXV6T1 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
товару немає в наявності |