Продукція > ONSEMI > NSBC113EPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G

NSBC113EPDXV6T1G onsemi

dtc113ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.44 грн
8000+4.75 грн
12000+4.49 грн
20000+3.95 грн
28000+3.79 грн
40000+3.64 грн
100000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC113EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 1kOhm, Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSBC113EPDXV6T1G за ціною від 4.99 грн до 26.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Resistor - Base (R1): 1kOhm
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.01 грн
8000+6.21 грн
12000+5.93 грн
20000+5.27 грн
28000+5.10 грн
40000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.17 грн
18+17.27 грн
100+11.63 грн
500+8.45 грн
1000+7.63 грн
2000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G onsemi DTC113EP-D.PDF Digital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G ONSEMI dtc113ep-d.pdf Description: ONSEMI - NSBC113EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G dtc113ep-d.pdf
NSBC113EPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-563
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Resistor - Base (R1): 1kOhm
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 500mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.01 грн
8000+6.21 грн
12000+5.93 грн
20000+5.27 грн
28000+5.10 грн
40000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G dtc113ep-d.pdf
NSBC113EPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G dtc113ep-d.pdf
NSBC113EPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.17 грн
18+17.27 грн
100+11.63 грн
500+8.45 грн
1000+7.63 грн
2000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G DTC113EP-D.PDF
NSBC113EPDXV6T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G dtc113ep-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBC113EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.