Продукція > ONSEMI > NSBC113EPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G

NSBC113EPDXV6T1G onsemi

dtc113ep-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.85 грн
8000+5.10 грн
12000+4.83 грн
20000+4.25 грн
28000+4.08 грн
40000+3.91 грн
100000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC113EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 1kOhm, Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSBC113EPDXV6T1G за ціною від 4.67 грн до 32.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G Виробник : onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.54 грн
8000+6.67 грн
12000+6.38 грн
20000+5.67 грн
28000+5.48 грн
40000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G Виробник : onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G Виробник : onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.14 грн
18+18.57 грн
100+12.51 грн
500+9.09 грн
1000+8.20 грн
2000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G Виробник : onsemi DTC113EP-D.PDF Digital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.23 грн
13+27.81 грн
100+17.52 грн
500+11.78 грн
1000+8.95 грн
2000+5.36 грн
4000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G Виробник : ONSEMI dtc113ep-d.pdf Description: ONSEMI - NSBC113EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G Виробник : ONSEMI dtc113ep-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN / PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Current gain: 3...5
Collector-emitter voltage: 50V
Quantity in set/package: 4000pcs.
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Case: SOT563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.