Продукція > ONSEMI > NSBC113EPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G

NSBC113EPDXV6T1G onsemi

dtc113ep-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.84 грн
8000+5.09 грн
12000+4.82 грн
20000+4.24 грн
28000+4.07 грн
40000+3.91 грн
100000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC113EPDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 1kOhm, Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSBC113EPDXV6T1G за ціною від 4.66 грн до 32.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G Виробник : onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.52 грн
8000+6.66 грн
12000+6.36 грн
20000+5.66 грн
28000+5.47 грн
40000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G Виробник : onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G Виробник : onsemi dtc113ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 1kOhm
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhm
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.09 грн
18+18.54 грн
100+12.48 грн
500+9.07 грн
1000+8.19 грн
2000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G NSBC113EPDXV6T1G Виробник : onsemi DTC113EP-D.PDF Digital Transistors 50V Dual Bipolar Digital Transistor
на замовлення 7779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.16 грн
13+27.75 грн
100+17.49 грн
500+11.76 грн
1000+8.93 грн
2000+5.35 грн
4000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC113EPDXV6T1G Виробник : ONSEMI dtc113ep-d.pdf Description: ONSEMI - NSBC113EPDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.