NSBC114EDP6T5G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 5.20 грн |
| 16000+ | 4.57 грн |
| 24000+ | 4.35 грн |
| 40000+ | 3.85 грн |
| 56000+ | 3.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC114EDP6T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 408mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.
Інші пропозиції NSBC114EDP6T5G за ціною від 4.12 грн до 30.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSBC114EDP6T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 |
на замовлення 529587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSBC114EDP6T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 408mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-963 |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSBC114EDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBC114EDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 163999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NSBC114EDP6T5G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors SOT-963 DUAL NBRT |
на замовлення 2216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NSBC114EDP6T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NSBC114EDP6T5G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 408mW; SOT963; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 408mW Case: SOT963 Current gain: 35...60 Mounting: SMD Quantity in set/package: 8000pcs. Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |