Продукція > ONSEMI > NSBC114EDXV6T1G
NSBC114EDXV6T1G

NSBC114EDXV6T1G onsemi

dtc114ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+5.02 грн
8000+4.38 грн
12000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114EDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції NSBC114EDXV6T1G за ціною від 4.49 грн до 27.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSBC114EDXV6T1G NSBC114EDXV6T1G onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 17543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.86 грн
22+14.52 грн
100+9.14 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
2000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1G NSBC114EDXV6T1G onsemi DTC114ED-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 209060 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
12+27.50 грн
19+16.70 грн
100+9.13 грн
500+6.77 грн
1000+5.86 грн
2000+5.25 грн
4000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1G dtc114ed-d.pdf
NSBC114EDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 17543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.86 грн
22+14.52 грн
100+9.14 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
2000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1G DTC114ED-D.PDF
NSBC114EDXV6T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 209060 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.50 грн
19+16.70 грн
100+9.13 грн
500+6.77 грн
1000+5.86 грн
2000+5.25 грн
4000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.