Продукція > ONSEMI > NSBC114EDXV6T1G
NSBC114EDXV6T1G

NSBC114EDXV6T1G onsemi

dtc114ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.62 грн
8000+5.18 грн
12000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114EDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції NSBC114EDXV6T1G за ціною від 3.45 грн до 30.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSBC114EDXV6T1G NSBC114EDXV6T1G Виробник : onsemi DTC114ED_D-2310747.pdf Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN
на замовлення 247300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.72 грн
25+13.67 грн
100+6.16 грн
1000+4.99 грн
4000+4.40 грн
8000+3.60 грн
24000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1G NSBC114EDXV6T1G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 19895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
15+21.02 грн
100+10.63 грн
500+8.14 грн
1000+6.04 грн
2000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf
на замовлення 7850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC114EDXV6T1G NSBC114EDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.