| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.95 грн |
| 13+ | 24.64 грн |
| 100+ | 12.12 грн |
| 500+ | 8.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC114EDXV6T5G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563, Supplier Device Package: SOT-563, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 500mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V.
Інші пропозиції NSBC114EDXV6T5G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NSBC114EDXV6T5G | ON Semiconductor |
 |
на замовлення 7988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSBC114EDXV6T5G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 7988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)